Page 47 - BP_201812
P. 47
的12V被钳制到-5V，及时将功放单元射频通路关断。IC23 电压调节改变相位的目的。这种调相的方法仅限于工作在
为带逻辑电平转换的8通道模拟开关，使用MOS管的开关方 mW量级，因此将此调相电路加到功放单元的射频控制级。
式控制信号链路的通断，确保功放单元安全。 图4为移相器电路原理图，其中变容二极管、电阻、3dB桥及
2.射频控制Control 微带线组成了RLC串联谐振电路。
·射频增益控制 当f v<f0时，谐振电路相当于R C电路，电流I R超前电
压Ui，即输出UR超前输入电压Ui，相移为Φ正。当fv＞f0
时，电路相当于RL电路，电流IR滞后电压Ui，即输出UR滞
后输入电压Ui，相移为Φ负。当fv=f0时，电路相当于RLC
谐振电路，Φ0=0。相位调节向量图如图5、6、7所示。
图3 射频增益控制电路
在放大器的射频前级接入了由电容、电阻、电感、二
图5 fv<fO 图6 fv=fO 图7 fv>fO
极管等组成的电控衰减网络实现增益控制的目的。其中D1
（HSMP3810）、D2相同，为分布电容很小的PIN管作为电 通过调整R1电位器，改变了变容二极管的电容容量，进
控增益器件之一，它的作用和一般的P N结二极管相同，但 而使输出电压相位超前或滞后输入电压相位，达到了调节功
结构有所差别。其管子两边分别重掺杂P型和N型半导体， 放单元相位的目的，通过和其它功放单元相位的合理调整，
中间本征半导体I的电导率很高，所以P I N管在零偏置时电 最终可以使整机功率输出达到最大值。根据威尔金森网络特
阻很大，可以达到7-10K Ω。在正偏置时，由P区和N区分 点在调整本单元输出相位时可能影响相邻功放单元的工作状
别向I区注入空穴和电子，它们在I区不断复合，最终达到平 态，应反复调整各个功放单元使相位均保持一致，达到功放
衡，可使原来电阻率很高的I区变为低阻区。正向偏置电压 单元端口良好匹配，减少功率在合成网络的损耗，使功率合
越大使I区的电阻越小，由于P I N管的分布电容很小，使得 成达到最佳状态。调相后的功放运行一段时间后, 由于器件
它的频率特性优良，因此它的阻值只决定正向偏置的电流。 状态、环境温度等因素会发生变化，可能使功放单元的整体
在图3中，V D C为电路提供直流偏置电压，增益控制电压 工作状态产生变化, 导致整机功率下降，还需要时时关注功
为Up，当Up电压为零时，D1阻抗很大，Ui通过R1、R2、 放的功率输出及反射，必要时应重新进行相位调整。
R3、D1、C1等组成的传输网络正常输出。增益需要调节 3.末级放大AMP
时，通过功放前面板的增益控制电位器可以使U p在0-12V 图8为末级380W功放模块原理图， 核心部件T1、T2为
之间变化，当Up电压逐渐升高时， D1正向偏置电压逐渐变 MRF377场效应管，非常适用于大功率线性放大单元，32V
大，D1的阻抗随之变小，A点的电位随着D1阻抗的变小而上 直流电压VDC通过R9、R11为功放管T1、T2提供栅极电压
升，使得D2的正向偏置变小，D2的阻抗变大，输出UOut信 V G S，通过改变R9和R11可改变功放管的的静态工作点。
号逐渐变小，达到了电压控制增益的目的。 VDC还通过R14、R15、TR3、TR4等给功放管T1、T2提供
·相位调节控制 漏极电压。稳压管D3、D4稳定静态工作点，从而获得最佳
宽带移相电路基于容性负载全反射的机理引入相位偏 线性指标。其采用一体化结构的对管进行推挽放大，具有输
移。采用变频二极管与3dB桥结合形成混合型移相器，实现 入、输出易于匹配及前后级隔离好的特点，并可以获得最
图4 移相电路原理图 图8 380w 功放模块原理图 WWW.IMASCHINA.COM
47
